摘 要：对基于二维材料的垂直阵列忆阻器进行了研究。面对二维材料生长窗口狭窄，难以制备大面积单晶等挑战，通过可控电化学沉积沉积了大面积WS3薄膜。基于WS3薄膜制备了垂直阵列结构忆阻器件。对2×2的4个忆阻（试读）...
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