摘 要： 目前，增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题，提出一种非分段的GaN （试读）...
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